☆　走査型電子顕微鏡（SEM）による表面観察サービス

【性能】

・分解能：6nm（30kV,WD=8mm,2次電子像）
・倍率：×15（WD=48mm）～×200,000
・加速電圧：1,2,5,10,15,20,25,30kV
・像の種類：2次電子像,反射電子像

【主な用途】

・半導体プロセス（電極パターン、エッチング形状など）
・エピタキシャル膜（表面モフォロジー、膜厚など）
・トラブルシューティング（電極接点、破断部、腐食部など）
・その他（生物、鉱石など）

【観察例】

①　備長炭の2次電子像（×3000）

走査型電子顕微鏡は深い焦点深度を持つために、無数にある細孔の内側の構造まで観察することができます。
こうした特性を利用し、例えば半導体プロセスにおいて、異方性エッチングを用いて形成した構造等も観察、確認が可能です。

②　くし型電極パターンの反射電子像（×1000）

ほとんど起伏のない試料においても、二次電子線や反射電子線の特性の違いを利用することによって、表面形状を把握することができます。リフトオフで形成した微細な電極パッドの出来具合を見る上でも威力を発揮します。

☆　C-V法による半導体の不純物密度分布測定サービス

　通常は、試料上にショットキー電極を形成し、逆バイアス電圧を印加することによって測定しておりますが、他の試料構造についても測定が可能な場合がありますので、ご相談ください。

【分析例】

①　C-V法の測定例

下図は、半導体エピタキシャルウェハーに含まれる不純物の、深さ方向分布を測定する際に用いるセットアップを示します。必要に応じて、分析目的に合わせたセットアップを検討致します。

②　C-V法の測定結果の一例

GaAsエピタキシャル層中の不純物密度分布測定の一例です。グラフをクリックすると拡大します。